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α-Si TFT結(jié)構(gòu)
時(shí)間：2024-07-01 瀏覽：346 來源：本站原創(chuàng)
1.一般由柵電極、柵絕緣層（SiNx或SiOx）、有源層（a-Si：H層）、歐姆接觸層（n+ a-Si ：H）以及源漏電極等幾個(gè)主要部分組成。
2. 工藝簡單，玻璃基板成本低，導(dǎo)通比大，可靠性高，容易大面積化。

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