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工作原理：與MOSFET相似,TFT也是通過柵電壓來調(diào)節(jié)溝道電阻，從而實現(xiàn)對漏極電流的有效控制.
與MOSFET不同的是：MOSFET通常工作強(qiáng)反型狀態(tài),而TFT根據(jù)半導(dǎo)體活性層種類不同,工作狀態(tài)有兩種模式：
對于a-Si TFT、OTFT、氧化物TFT通常工作于積累狀態(tài).
對于p-Si TFT工作于強(qiáng)反型狀態(tài).